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晶體材料
摻鈮鈦酸鍶(Nb:SiTiO3)
簡(jiǎn)介:摻鈮鈦酸鍶(Nb:SiTiO3)單晶不僅與鈦酸鍶有相似的結(jié)構(gòu),還有電導(dǎo)性。它的電阻率隨著摻鈮濃度(0.1~0.001wt%)在0.1~0.001W-cm之間變化,傳導(dǎo)的單晶基片為薄膜和器件提供了電極。
性能及參數(shù) |
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生長(zhǎng)方法 |
熔焰法 |
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晶體結(jié)構(gòu) |
立方 |
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晶格常數(shù) |
a =3.905 ? |
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級(jí)別 |
A |
B |
C |
D |
摻鈮濃度(wt%) |
1.0 |
0.7 |
0.5 |
0.1 |
電阻率ohm-cm |
0.0035 |
0.0070 |
0.05 |
0.08 |
遷移率cm2/vs |
9.0 |
8.5 |
8.5 |
6.5 |
顏色及外觀 |
黑色 |
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化學(xué)穩(wěn)定性 |
穩(wěn)定性好不溶于水 |
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莫氏硬度 |
6mohs |
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正切損耗 |
~5×10-4 @300k), ~3×10-4 @77k) |
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晶向 |
<100>、<110>、<111> |
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晶面定向精度 |
±0.5° |
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邊緣定向精度 |
±1° |
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斜切晶片 |
可按照客戶需求,定制特殊方向 |
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尺寸(可按照客戶需求,定制特殊尺寸) |
10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm等 |
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/ |
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拋光 |
單面拋光、雙面拋光 |
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表面粗糙度 |
<5 ? |
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包裝 |
1000級(jí)超級(jí)凈室100級(jí)超凈袋或單片晶盒封裝 |