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專注于材料研究領(lǐng)域

材料制備、真空獲得與檢測領(lǐng)域?qū)<?/p>

晶體材料

文字:[大][中][小] 2017/3/21    瀏覽次數(shù):2820    

正文標(biāo)題

我是正文


鍺(Ge

 

簡介:鍺(Ge)主要制作半導(dǎo)體器件、紅外光學(xué)器件以及太陽能電池襯底等材料。

 

性能及參數(shù)

生長方法

提拉法

晶體結(jié)構(gòu)

立方

晶格常數(shù)

a=5.65754 ?

顏色及外觀

灰白色

密度

5.323g/cm3

熔點(diǎn)

937.4

莫氏硬度

4mohs

摻雜物質(zhì)

不摻雜

Sb

InGa

類型

/

N

P

電阻率

35Ω㎝

0.05Ω㎝

0.050.1Ω㎝

EPD

4×103/cm2

4×103/cm2

4×103/cm2

晶向

<100><110>、<111>

晶面定向精度

±0.5°

邊緣定向精度

±1°

斜切晶片

可按照客戶需求,定制特殊方向

尺寸(可按照客戶需求,定制特殊尺寸)

10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm15×15×0.5mm

dia1″×0.5mm、dia2″×0.5mm

拋光

單面拋光、雙面拋光等

表面粗糙度

5 ?

包裝

1000級超級凈室100級超凈袋或單片晶盒封裝

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