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晶體材料
氧化鋅(ZnO)
簡介:氧化鋅(ZnO)晶體基片廣泛應(yīng)用于GaN(藍(lán)光LED)外延基片,寬波段連接器等領(lǐng)域。
性能及參數(shù) |
|
生長方法 |
水熱法 |
晶體結(jié)構(gòu) |
六方 |
晶胞/晶格常數(shù) |
a=3.252 ? c=5.313 ? |
顏色及外觀 |
如圖 |
密度 |
5.7 g/cm3 |
熔點(diǎn) |
1975 ℃ |
莫氏硬度 |
4.5mohs |
熱膨脹系數(shù) |
6.5×10-6/℃//a 3.7×10-6/℃//c |
光學(xué)透過 |
0.4~0.6um>50% at 2mm |
熱導(dǎo)率 |
30 W/m.k @ 300K |
熱容 |
0.125cal/g.m |
折射率 |
1.922(o);1.936(e) |
晶向 |
<0001>、<11-20>、<10-10> |
晶面定向精度 |
±0.5° |
邊緣定向精度 |
±1° |
斜切晶片 |
可按照客戶需求,定制特殊方向 |
尺寸(可按照客戶需求,定制特殊尺寸) |
10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm、15×15×0.5mm等 |
/ |
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拋光 |
單面拋光、雙面拋光等 |
表面粗糙度 |
<5 ? |
包裝 |
1000級(jí)超級(jí)凈室100級(jí)超凈袋或單片晶盒封裝 |