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專注于材料研究領(lǐng)域

材料制備、真空獲得與檢測(cè)領(lǐng)域?qū)<?/p>

晶體材料

文字:[大][中][小] 2017/3/21    瀏覽次數(shù):2330    

硅(Si

 

簡(jiǎn)介:硅(Si)主要制作半導(dǎo)體器件、紅外光學(xué)器件以及太陽(yáng)能電池襯底等材料。

 

性能及參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)

面心立方

顏色及外觀

黑色

密度

2.4g/cm3

熔點(diǎn)

1420

摻雜物質(zhì)

不摻雜

B

P

類型

NP

P

N

電阻率

1000Ωcm

10-340Ωcm

102104Ω㎝

EPD

≤100/cm2

≤100/cm2

≤100/cm2

氧含量

≤11.8×1018 /cm3

≤11.8×1018  /cm3

≤11.8×1018  /cm3

碳含量

≤5×1016/cm3

≤5×1016/cm3

≤5×1016/cm3

晶向

<100>、<110><111>

晶面定向精度

±0.5°

邊緣定向精度

±1°

斜切晶片

可按照客戶需求,定制特殊方向

尺寸(可按照客戶需求,定制特殊尺寸)

10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm15×15×0.5mm

dia1″×0.5mm、dia2″×0.5mm

拋光

單面拋光、雙面拋光等

表面粗糙度

5 ?

包裝

1000級(jí)超級(jí)凈室100級(jí)超凈袋或單片晶盒封裝

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