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晶體材料
硅(Si)
簡(jiǎn)介:硅(Si)主要制作半導(dǎo)體器件、紅外光學(xué)器件以及太陽(yáng)能電池襯底等材料。
性能及參數(shù) |
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晶體結(jié)構(gòu) |
面心立方 |
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顏色及外觀 |
黑色 |
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密度 |
2.4g/cm3 |
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熔點(diǎn) |
1420℃ |
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摻雜物質(zhì) |
不摻雜 |
摻B |
摻P |
類型 |
N或P |
P |
N |
電阻率 |
>1000Ωcm |
10-3~40Ωcm |
102~104Ω㎝ |
EPD |
≤100/cm2 |
≤100/cm2 |
≤100/cm2 |
氧含量 |
≤1~1.8×1018 /cm3 |
≤1~1.8×1018 /cm3 |
≤1~1.8×1018 /cm3 |
碳含量 |
≤5×1016/cm3 |
≤5×1016/cm3 |
≤5×1016/cm3 |
晶向 |
<100>、<110>、<111> |
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晶面定向精度 |
±0.5° |
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邊緣定向精度 |
±1° |
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斜切晶片 |
可按照客戶需求,定制特殊方向 |
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尺寸(可按照客戶需求,定制特殊尺寸) |
10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm、15×15×0.5mm等 |
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dia1″×0.5mm、dia2″×0.5mm等 |
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拋光 |
單面拋光、雙面拋光等 |
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表面粗糙度 |
<5 ? |
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包裝 |
1000級(jí)超級(jí)凈室100級(jí)超凈袋或單片晶盒封裝 |